
NTMD3P03R2G | |
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Codice DigiKey | NTMD3P03R2GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTMD3P03R2GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTMD3P03R2GOSDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | NTMD3P03R2G |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC |
Tempi di consegna standard del produttore | 14 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 2,34A 730mW A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | NTMD3P03R2G Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA |
Produttore onsemi | Carica del gate (Qg) max a Vgs 25nC a 10V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 750pF a 24V |
Stato componente Attivo | Potenza - Max 730mW |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configurazione 2 canali P (doppio) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Funzione FET Porta a livello logico | Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) |
Tensione drain/source (Vdss) 30V | Contenitore del fornitore 8-SOIC |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2,34A | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 85mohm a 3,05A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| UPA2735GR-E1-AX | Renesas Electronics Corporation | 5’000 | 559-UPA2735GR-E1-AXCT-ND | Fr. 1.88000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.30000 | Fr. 1.30 |
| 10 | Fr. 0.82100 | Fr. 8.21 |
| 100 | Fr. 0.54740 | Fr. 54.74 |
| 500 | Fr. 0.42994 | Fr. 214.97 |
| 1’000 | Fr. 0.39215 | Fr. 392.15 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.32825 | Fr. 820.62 |
| 5’000 | Fr. 0.30461 | Fr. 1’523.05 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.30000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.40530 |

