8 SOIC
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NTMD3P03R2G

Codice DigiKey
NTMD3P03R2GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
NTMD3P03R2GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
NTMD3P03R2GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
onsemi
Codice produttore
NTMD3P03R2G
Descrizione
MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC
Tempi di consegna standard del produttore
22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 2,34A 730mW A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
NTMD3P03R2G Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali P (doppio)
Funzione FET
Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
2,34A
RDSon (max) a Id, Vgs
85mohm a 3,05A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
25nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
750pF a 24V
Potenza - Max
730mW
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Codice componente base
NTMD3
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In magazzino: 4’787
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.25000Fr. 1.25
10Fr. 0.73900Fr. 7.39
100Fr. 0.44170Fr. 44.17
500Fr. 0.38702Fr. 193.51
1’000Fr. 0.36865Fr. 368.65
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’500Fr. 0.33710Fr. 842.75
5’000Fr. 0.31241Fr. 1’562.05
7’500Fr. 0.30046Fr. 2’253.45
12’500Fr. 0.29730Fr. 3’716.25
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.25000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.35125