8 SOIC
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NTMD4820NR2G

Codice DigiKey
NTMD4820NR2GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
onsemi
Codice produttore
NTMD4820NR2G
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 4,9A 750mW A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
NTMD4820NR2G Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
4,9A
RDSon (max) a Id, Vgs
20mohm a 7,5A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
7,7nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
940pF a 15V
Potenza - Max
750mW
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Codice componente base
NTMD4820
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