
NTMD6N02R2G | |
|---|---|
Codice DigiKey | NTMD6N02R2GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTMD6N02R2GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTMD6N02R2GOSDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | NTMD6N02R2G |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOIC |
Tempi di consegna standard del produttore | 20 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 20V 3,92 A 730mW A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | NTMD6N02R2G Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | onsemi | |
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 20V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 3,92 A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 35mohm a 6A, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 1,2V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 20nC a 4,5V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1100pF a 16V | |
Potenza - Max | 730mW | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) | |
Contenitore del fornitore | 8-SOIC | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.02000 | Fr. 1.02 |
| 10 | Fr. 0.63900 | Fr. 6.39 |
| 100 | Fr. 0.42180 | Fr. 42.18 |
| 500 | Fr. 0.32844 | Fr. 164.22 |
| 1’000 | Fr. 0.29834 | Fr. 298.34 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.26460 | Fr. 661.50 |
| 5’000 | Fr. 0.24546 | Fr. 1’227.30 |
| 7’500 | Fr. 0.23538 | Fr. 1’765.35 |
| 12’500 | Fr. 0.22430 | Fr. 2’803.75 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.02000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.10262 |


