Name: NTMD6N02R2G
Brand: onsemi
SKU: NTMD6N02R2GOSTR-ND
Price: 1.14586 CHF
Availability: InStock

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NTMD6N02R2G
Codice DigiKey	NTMD6N02R2GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTMD6N02R2GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTMD6N02R2GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTMD6N02R2G
Descrizione	MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOIC
Tempi di consegna standard del produttore	13 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 3,92 A 730mW A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTMD6N02R2G Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 1,2V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 20nC a 4,5V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1100pF a 16V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 730mW
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione drain/source (Vdss) 20V	Contenitore del fornitore 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,92 A	Codice componente base NTMD6
RDSon (max) a Id, Vgs 35mohm a 6A, 4,5V

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In magazzino: 3’315

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2’500	Fr. 0.25879	Fr. 646.98
5’000	Fr. 0.23919	Fr. 1’195.95

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.06000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.14586

NTMD6N02R2G