Name: NTMFS002N10MCLT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFS002N10MCLT1GTR-ND
Price: 4.03213 CHF
Availability: InStock

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NTMFS002N10MCLT1G
Codice DigiKey	488-NTMFS002N10MCLT1GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NTMFS002N10MCLT1GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NTMFS002N10MCLT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTMFS002N10MCLT1G
Descrizione	PTNG 100V LL SO8FL HE
Tempi di consegna standard del produttore	47 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 22A (Ta), 175A (Tc) 3W (Ta), 189W (Tc) A montaggio superficiale 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTMFS002N10MCLT1G Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 351µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 97 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 7200 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 189W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 22A (Ta), 175A (Tc)	Contenitore del fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN, 5 conduttori
RDSon (max) a Id, Vgs 2,8mohm a 50A, 10V	Codice componente base NTMFS002

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1’500	Fr. 1.22693	Fr. 1’840.40

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 3.73000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 4.03213

NTMFS002N10MCLT1G