Name: NTMFS3D2N10MDT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFS3D2N10MDT1GTR-ND
Price: 3.93484 CHF
Availability: InStock

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NTMFS3D2N10MDT1G
Codice DigiKey	488-NTMFS3D2N10MDT1GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NTMFS3D2N10MDT1GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NTMFS3D2N10MDT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTMFS3D2N10MDT1G
Descrizione	PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HE
Tempi di consegna standard del produttore	48 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 19A (Ta), 142A (Tc) 2,8W (Ta), 155W (Tc) A montaggio superficiale 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTMFS3D2N10MDT1G Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 316µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 71.3 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3900 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2,8W (Ta), 155W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 19A (Ta), 142A (Tc)	Contenitore del fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN, 5 conduttori
RDSon (max) a Id, Vgs 3,5mohm a 50A, 10V	Codice componente base NTMFS3

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In magazzino: 2’448

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Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1’500	Fr. 1.18691	Fr. 1’780.36

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 3.64000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 3.93484

NTMFS3D2N10MDT1G