Canale N 100 V 19A (Ta), 142A (Tc) 2,8W (Ta), 155W (Tc) A montaggio superficiale 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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NTMFS3D2N10MDT1G

Codice DigiKey
488-NTMFS3D2N10MDT1GTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
488-NTMFS3D2N10MDT1GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
488-NTMFS3D2N10MDT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
onsemi
Codice produttore
NTMFS3D2N10MDT1G
Descrizione
PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HE
Tempi di consegna standard del produttore
33 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 19A (Ta), 142A (Tc) 2,8W (Ta), 155W (Tc) A montaggio superficiale 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
NTMFS3D2N10MDT1G Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
19A (Ta), 142A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
3,5mohm a 50A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 316µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
71.3 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3900 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2,8W (Ta), 155W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Contenitore/involucro
8-PowerTDFN, 5 conduttori
Codice componente base
NTMFS3
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 3.37000Fr. 3.37
10Fr. 2.21700Fr. 22.17
100Fr. 1.56300Fr. 156.30
500Fr. 1.42094Fr. 710.47
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1’500Fr. 1.16090Fr. 1’741.35
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 3.37000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 3.64297
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