NTMFS4985NFT1G onsemi | FET, MOSFET singoli

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NTMFS4985NFT1G
Codice DigiKey	NTMFS4985NFT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTMFS4985NFT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTMFS4985NFT1G
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 17.5A/65A 5DFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 17,5 A (Ta), 65 A (Tc) 1,63W (Ta), 22,73W (Tc) A montaggio superficiale 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTMFS4985NFT1G Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,3V a 1mA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 30.5 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Vgs (max) ±20V
Stato componente Obsoleto	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2100 pF @ 15 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 1,63W (Ta), 22,73W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 17,5 A (Ta), 65 A (Tc)	Contenitore del fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN, 5 conduttori
RDSon (max) a Id, Vgs 3,4mohm a 30A, 10V	Codice componente base NTMFS4985

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Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT)

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.51000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.63231

NTMFS4985NFT1G