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NTMFS4985NFT1G
onsemi
In magazzino: 1’211
Prezzo unitario : Fr. 1.52000
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Canale N 30 V 17,5 A (Ta), 65 A (Tc) 1,63W (Ta), 22,73W (Tc) A montaggio superficiale 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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NTMFS4985NFT3G

Codice DigiKey
NTMFS4985NFT3G-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
onsemi
Codice produttore
NTMFS4985NFT3G
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 17.5A/65A 5DFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 17,5 A (Ta), 65 A (Tc) 1,63W (Ta), 22,73W (Tc) A montaggio superficiale 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Scheda tecnica
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Modelli EDA/CAD
NTMFS4985NFT3G Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
17,5 A (Ta), 65 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
3,4mohm a 30A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,3V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
30.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2100 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1,63W (Ta), 22,73W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Contenitore/involucro
8-PowerTDFN, 5 conduttori
Codice componente base
NTMFS4985
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