5 DFN
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NTMFS5H425NLT1G

Codice DigiKey
488-NTMFS5H425NLT1GTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
488-NTMFS5H425NLT1GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore
onsemi
Codice produttore
NTMFS5H425NLT1G
Descrizione
MOSFET N-CH 40V 25A/118A 5DFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 40 V 25A (Ta), 118A (Tc) 3W (Ta), 69W (Tc) A montaggio superficiale 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
NTMFS5H425NLT1G Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
25A (Ta), 118A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
2,8mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id
2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1950 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Contenitore/involucro
8-PowerTDFN, 5 conduttori
Codice componente base
NTMFS5
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