Name: NTMFS6H800NT1G
Brand: onsemi
SKU: NTMFS6H800NT1GOSTR-ND
Price: 3.74026 CHF
Availability: InStock

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NTMFS6H800NT1G
Codice DigiKey	NTMFS6H800NT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTMFS6H800NT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTMFS6H800NT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTMFS6H800NT1G
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN
Tempi di consegna standard del produttore	43 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 28 A (Ta), 203 A (Tc) 3,8W (Ta), 200W (Tc) A montaggio superficiale 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 330µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 85 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5530 pF @ 40 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 3,8W (Ta), 200W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 28 A (Ta), 203 A (Tc)	Contenitore del fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN, 5 conduttori
RDSon (max) a Id, Vgs 2,1mohm a 50A, 10V	Codice componente base NTMFS6

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In magazzino: 23

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Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1’500	Fr. 1.10959	Fr. 1’664.39

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 3.46000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 3.74026

NTMFS6H800NT1G