
NTMS10P02R2G | |
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Codice DigiKey | NTMS10P02R2GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTMS10P02R2GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTMS10P02R2GOSDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | NTMS10P02R2G |
Descrizione | MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC |
Tempi di consegna standard del produttore | 20 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 20 V 8,8 A (Ta) 1,6W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | NTMS10P02R2G Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 20 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 2,5V, 4,5V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 14mohm a 10A, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 1,2V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 70 nC @ 4.5 V | |
Vgs (max) | ±12V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 3640 pF @ 16 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 1,6W (Ta) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 8-SOIC | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 0.94000 | Fr. 0.94 |
10 | Fr. 0.73600 | Fr. 7.36 |
100 | Fr. 0.63420 | Fr. 63.42 |
500 | Fr. 0.56978 | Fr. 284.89 |
1’000 | Fr. 0.53942 | Fr. 539.42 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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2’500 | Fr. 0.47164 | Fr. 1’179.10 |
5’000 | Fr. 0.44070 | Fr. 2’203.50 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.94000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.01614 |