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NTMS7N03R2G | |
|---|---|
Codice DigiKey | NTMS7N03R2GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | NTMS7N03R2G |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOIC |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 4,8 A (Ta) 800mW (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | NTMS7N03R2G Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 23mohm a 7A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 43 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1190 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 800mW (Ta) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 8-SOIC | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Manufacturer Quote Required
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