Name: NTMTS0D7N06CLTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMTS0D7N06CLTXGTR-ND
Price: 4.324 CHF
Availability: InStock

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NTMTS0D7N06CLTXG
Codice DigiKey	488-NTMTS0D7N06CLTXGTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NTMTS0D7N06CLTXGCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NTMTS0D7N06CLTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTMTS0D7N06CLTXG
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 62.2A/477A 8DFNW
Tempi di consegna standard del produttore	43 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 62,2A (Ta), 477A (Tc) 5W (Ta), 294,6W (Tc) A montaggio superficiale 8-DFNW (8,3x8,4)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTMTS0D7N06CLTXG Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 225 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 16200 pF @ 25 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 5W (Ta), 294,6W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 62,2A (Ta), 477A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-DFNW (8,3x8,4)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 0,68mohm a 50A, 10V	Codice componente base NTMTS0