Name: NTMTSC1D5N08MC
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMTSC1D5N08MCTR-ND
Price: 7.66429 CHF
Availability: InStock

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NTMTSC1D5N08MC
Codice DigiKey	488-NTMTSC1D5N08MCTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NTMTSC1D5N08MCCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NTMTSC1D5N08MCDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTMTSC1D5N08MC
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 33A/287A 8DFNW
Tempi di consegna standard del produttore	47 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 33A (Ta), 287A (Tc) 3,3W (Ta), 250W (Tc) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili 8-TDFNW (8,3x8,4)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTMTSC1D5N08MC Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 650µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 140 nC @ 10 V
Serie Dual Cool™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 10400 pF @ 40 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,3W (Ta), 250W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Contenitore del fornitore 8-TDFNW (8,3x8,4)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 33A (Ta), 287A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base NTMTSC1
RDSon (max) a Id, Vgs 1,56mohm a 80A, 10V

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In magazzino: 2’229

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Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3’000	Fr. 2.89467	Fr. 8’684.01

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 7.09000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 7.66429

NTMTSC1D5N08MC