NTTFS4800NTAG onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

NTTFS4800NTAG è obsoleto e non è più in produzione.

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NTTFS4800NTAG
Codice DigiKey	NTTFS4800NTAGOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTTFS4800NTAG
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 5A/32A 8WDFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 5 A (Ta), 32 A (Tc) 860mW (Ta), 33,8W (Tc) A montaggio superficiale 8-WDFN (3,3x3,3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	5 A (Ta), 32 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 11,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	20mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	16.6 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	964 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	860mW (Ta), 33,8W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-WDFN (3,3x3,3)
Contenitore/involucro	8-PowerWDFN
Codice componente base	NTTFS4