NTTD4401FR2G onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

NTTD4401FR2G
Codice DigiKey	NTTD4401FR2GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTTD4401FR2G
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 2,4 A (Ta) 780mW (Ta) A montaggio superficiale 8-MSOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTTD4401FR2G Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	FETKY™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	2,4 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	2,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	90mohm a 3,3A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	18 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	750 pF @ 16 V
Funzione FET	Diodo Schottky (isolato)
Dissipazione di potenza (max)	780mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-MSOP
Contenitore/involucro	8-TSSOP, 8-MSOP (larghezza 0,118", 3,00mm)
Codice componente base	NTTD44