
NTTFD1D8N02P1E | |
|---|---|
Codice DigiKey | 488-NTTFD1D8N02P1E-ND |
Produttore | |
Codice produttore | NTTFD1D8N02P1E |
Descrizione | MOSFET, POWER, 25V DUAL N-CHANNE |
Tempi di consegna standard del produttore | 41 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 25V 11A (Ta), 21A (Ta) 800mW (Ta), 900mW (Ta) A montaggio superficiale 8-PQFN (3,3x3,3) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 4,2mohm a 15A, 10V, 1,4mohm a 29A, 10V |
Produttore onsemi | Vgs(th) max a Id 2V a 190µA, 2V a 310µA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 5,5nC a 4,5V, 17nC a 4,5V |
Confezionamento Sfuso | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 873pF a 15V, 2700pF a 15V |
Stato componente Attivo | Potenza - Max 800mW (Ta), 900mW (Ta) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configurazione Asimmetrico a 2 canali N (duale) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 25V | Contenitore/involucro 8-PowerWDFN |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 11A (Ta), 21A (Ta) | Contenitore del fornitore 8-PQFN (3,3x3,3) |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.75000 | Fr. 1.75 |
| 10 | Fr. 1.12200 | Fr. 11.22 |
| 100 | Fr. 0.76250 | Fr. 76.25 |
| 500 | Fr. 0.60872 | Fr. 304.36 |
| 1’000 | Fr. 0.55928 | Fr. 559.28 |
| 3’000 | Fr. 0.49652 | Fr. 1’489.56 |
| 6’000 | Fr. 0.48006 | Fr. 2’880.36 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.75000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.89175 |


