MOSFET - Array 25V 11A (Ta), 21A (Ta) 800mW (Ta), 900mW (Ta) A montaggio superficiale 8-PQFN (3,3x3,3)
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NTTFD1D8N02P1E

Codice DigiKey
488-NTTFD1D8N02P1E-ND
Produttore
Codice produttore
NTTFD1D8N02P1E
Descrizione
MOSFET, POWER, 25V DUAL N-CHANNE
Tempi di consegna standard del produttore
41 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 25V 11A (Ta), 21A (Ta) 800mW (Ta), 900mW (Ta) A montaggio superficiale 8-PQFN (3,3x3,3)
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Categoria
RDSon (max) a Id, Vgs
4,2mohm a 15A, 10V, 1,4mohm a 29A, 10V
Produttore
onsemi
Vgs(th) max a Id
2V a 190µA, 2V a 310µA
Serie
Carica del gate (Qg) max a Vgs
5,5nC a 4,5V, 17nC a 4,5V
Confezionamento
Sfuso
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
873pF a 15V, 2700pF a 15V
Stato componente
Attivo
Potenza - Max
800mW (Ta), 900mW (Ta)
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione
Asimmetrico a 2 canali N (duale)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
25V
Contenitore/involucro
8-PowerWDFN
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
11A (Ta), 21A (Ta)
Contenitore del fornitore
8-PQFN (3,3x3,3)
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
In magazzino: 2’980
Scorte di fabbrica: 27’000
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Tutti i prezzi sono in CHF
Sfuso
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.75000Fr. 1.75
10Fr. 1.12200Fr. 11.22
100Fr. 0.76250Fr. 76.25
500Fr. 0.60872Fr. 304.36
1’000Fr. 0.55928Fr. 559.28
3’000Fr. 0.49652Fr. 1’489.56
6’000Fr. 0.48006Fr. 2’880.36
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.75000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.89175