Name: NTTFD9D0N06HLTWG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTTFD9D0N06HLTWGTR-ND
Price: 2.52954 CHF
Availability: InStock

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NTTFD9D0N06HLTWG
Codice DigiKey	488-NTTFD9D0N06HLTWGTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NTTFD9D0N06HLTWGCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NTTFD9D0N06HLTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTTFD9D0N06HLTWG
Descrizione	MOSFET 2N-CH 60V 9A 12WQFN
Tempi di consegna standard del produttore	50 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 60V 9A (Ta), 38A (Tc) 1,7W (Ta), 26W (Tc) A montaggio superficiale 12-WQFN (3,3x3,3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTTFD9D0N06HLTWG Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 2V a 50µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 13,5nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 948pF a 30V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 1,7W (Ta), 26W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60V	Contenitore/involucro 12-PowerWQFN
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 9A (Ta), 38A (Tc)	Contenitore del fornitore 12-WQFN (3,3x3,3)
RDSon (max) a Id, Vgs 9mohm a 10A, 10V	Codice componente base NTTFD9