
NTTFS1D2N02P1E | |
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Codice DigiKey | 488-NTTFS1D2N02P1ETR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NTTFS1D2N02P1ECT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NTTFS1D2N02P1EDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | NTTFS1D2N02P1E |
Descrizione | MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN |
Tempi di consegna standard del produttore | 24 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 25 V 23A (Ta), 180A (Tc) 820mW (Ta), 52W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (3,3x3,3) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | NTTFS1D2N02P1E Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 25 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 1mohm a 38A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2V a 934µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 24 nC @ 4.5 V | |
Vgs (max) | +16V, -12V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 4040 pF @ 13 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 820mW (Ta), 52W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 8-PQFN (3,3x3,3) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.05000 | Fr. 2.05 |
| 10 | Fr. 1.48500 | Fr. 14.85 |
| 100 | Fr. 1.05150 | Fr. 105.15 |
| 500 | Fr. 0.87222 | Fr. 436.11 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.74166 | Fr. 2’224.98 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.05000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.21605 |


