
NTTFS1D8N02P1E | |
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Codice DigiKey | 488-NTTFS1D8N02P1ETR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NTTFS1D8N02P1ECT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NTTFS1D8N02P1EDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | NTTFS1D8N02P1E |
Descrizione | MOSFET N-CH 25V 20A/152A 8PQFN |
Tempi di consegna standard del produttore | 24 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 25 V 20A (Ta), 152A (Tc) 800mW (Ta), 48W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (3,3x3,3) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 25 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 1,3mohm a 30 A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2V a 700µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 38 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | +16V, -12V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 3159 pF @ 13 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 800mW (Ta), 48W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 8-PQFN (3,3x3,3) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 2.22000 | Fr. 2.22 |
10 | Fr. 1.68700 | Fr. 16.87 |
100 | Fr. 1.18380 | Fr. 118.38 |
500 | Fr. 0.99670 | Fr. 498.35 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.81430 | Fr. 2’442.90 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.22000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.39982 |