
NTTFS5116PLTWG | |
|---|---|
Codice DigiKey | NTTFS5116PLTWGOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTTFS5116PLTWGOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTTFS5116PLTWGOSDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | NTTFS5116PLTWG |
Descrizione | MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN |
Tempi di consegna standard del produttore | 23 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 60 V 5,7 A (Ta) 3,2W (Ta), 40W (Tc) A montaggio superficiale 8-WDFN (3,3x3,3) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | NTTFS5116PLTWG Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 60 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 52mohm à 6A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 25 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1258 pF @ 30 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 3,2W (Ta), 40W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 8-WDFN (3,3x3,3) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.99000 | Fr. 0.99 |
| 10 | Fr. 0.62200 | Fr. 6.22 |
| 100 | Fr. 0.40970 | Fr. 40.97 |
| 500 | Fr. 0.31860 | Fr. 159.30 |
| 1’000 | Fr. 0.27804 | Fr. 278.04 |
| 2’000 | Fr. 0.26457 | Fr. 529.14 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 5’000 | Fr. 0.23785 | Fr. 1’189.25 |
| 10’000 | Fr. 0.22135 | Fr. 2’213.50 |
| 15’000 | Fr. 0.21600 | Fr. 3’240.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.99000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.07019 |




