Name: NTTFS5116PLTWG
Brand: onsemi
SKU: NTTFS5116PLTWGOSTR-ND
Price: 1.11343 CHF
Availability: InStock

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NTTFS5116PLTWG
Codice DigiKey	NTTFS5116PLTWGOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTTFS5116PLTWGOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTTFS5116PLTWGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTTFS5116PLTWG
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 5,7 A (Ta) 3,2W (Ta), 40W (Tc) A montaggio superficiale 8-WDFN (3,3x3,3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTTFS5116PLTWG Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 25 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1258 pF @ 30 V
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 3,2W (Ta), 40W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5,7 A (Ta)	Contenitore del fornitore 8-WDFN (3,3x3,3)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerWDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 52mohm à 6A, 10V	Codice componente base NTTFS5