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NTTFS5116PLTWG
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NTTFS5811NLTWG

Codice DigiKey
NTTFS5811NLTWG-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
NTTFS5811NLTWG
Descrizione
MOSFET N-CH 40V 17A/53A 8WDFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 40 V 17 A (Ta), 53 A (Tc) 2,7W (Ta), 33W (Tc) A montaggio superficiale 8-WDFN (3,3x3,3)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
NTTFS5811NLTWG Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
6,4mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1570 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2,7W (Ta), 33W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-WDFN (3,3x3,3)
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Obsoleto
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