NTTFS5820NLTAG è obsoleto e non è più in produzione.
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Prezzo unitario : Fr. 0.37000
Scheda tecnica

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Rohm Semiconductor
In magazzino: 6’270
Prezzo unitario : Fr. 2.33000
Scheda tecnica
Canale N 60 V 11 A (Ta), 37 A (Tc) 2,7W (Ta), 33W (Tc) A montaggio superficiale 8-WDFN (3,3x3,3)
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NTTFS5820NLTAG

Codice DigiKey
NTTFS5820NLTAGOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
NTTFS5820NLTAG
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 11A/37A 8WDFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 11 A (Ta), 37 A (Tc) 2,7W (Ta), 33W (Tc) A montaggio superficiale 8-WDFN (3,3x3,3)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
2,3V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
28 nC @ 10 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Vgs (max)
±20V
Stato componente
Obsoleto
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1462 pF @ 25 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
2,7W (Ta), 33W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
8-WDFN (3,3x3,3)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
11,5mohm a 8,7A, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (2)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
NTTFS5C673NLTAGonsemi0NTTFS5C673NLTAGOSCT-NDFr. 0.37000Consigliato dal produttore
RH6L040BGTB1Rohm Semiconductor6’270846-RH6L040BGTB1CT-NDFr. 2.33000Simile
Obsoleto
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