NVATS5A302PLZT4G onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

NVATS5A302PLZT4G è obsoleto e non è più in produzione.

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onsemi

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NVATS5A302PLZT4G
Codice DigiKey	NVATS5A302PLZT4G-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVATS5A302PLZT4G
Descrizione	MOSFET P-CHANNEL 60V 80A ATPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 80 A (Ta) 84W (Tc) A montaggio superficiale ATPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NVATS5A302PLZT4G Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	80 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	13mohm a 35A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,6V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	115 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	5400 pF @ 20 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	84W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	ATPAK
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	NVATS5