Name: NVB190N65S3F
Brand: onsemi
SKU: 488-NVB190N65S3FTR-ND
Price: 4.4321 CHF
Availability: InStock

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NVB190N65S3F
Codice DigiKey	488-NVB190N65S3FTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NVB190N65S3FCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NVB190N65S3FDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVB190N65S3F
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 20 A (Tc) 162W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 34 nC @ 10 V
Produttore onsemi	Vgs (max) ±30V
Serie SuperFET® III	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1605 pF @ 400 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 162W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 20 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
RDSon (max) a Id, Vgs 190mohm a 10A, 10V	Codice componente base NVB190
Vgs(th) max a Id 5V a 430µA

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In magazzino: 272

Scorte di fabbrica: 61’600

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
800	Fr. 1.42485	Fr. 1’139.88
1’600	Fr. 1.39295	Fr. 2’228.72

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 4.10000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 4.43210

NVB190N65S3F