


NVBG040N120M3S | |
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Codice DigiKey | 5556-NVBG040N120M3STR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5556-NVBG040N120M3SCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5556-NVBG040N120M3SDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | NVBG040N120M3S |
Descrizione | SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 1200 V 57 A (Tc) 263W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK-7 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 1200 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 18V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 54mohm a 20A, 18V | |
Vgs(th) max a Id | 4,4V a 10mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 75 nC @ 18 V | |
Vgs (max) | +22V, -10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1700 pF @ 800 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 263W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | D2PAK-7 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 15.71000 | Fr. 15.71 |
| 10 | Fr. 11.40300 | Fr. 114.03 |
| 100 | Fr. 10.92550 | Fr. 1’092.55 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 800 | Fr. 9.86516 | Fr. 7’892.13 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 15.71000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 16.98251 |

