Name: NVBG160N120SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NVBG160N120SC1TR-ND
Price: 10.96134 CHF
Availability: InStock

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NVBG160N120SC1
Codice DigiKey	5556-NVBG160N120SC1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5556-NVBG160N120SC1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5556-NVBG160N120SC1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVBG160N120SC1
Descrizione	SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 19,5 A (Tc) 136W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK-7
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NVBG160N120SC1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 33.8 nC @ 20 V
Produttore onsemi	Vgs (max) +25V, -15V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 678 pF @ 800 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 136W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 1200 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 19,5 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 20V	Contenitore del fornitore D2PAK-7
RDSon (max) a Id, Vgs 224mohm a 12A, 20V	Contenitore/involucro TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA
Vgs(th) max a Id 4,3V a 2,5mA	Codice componente base NVBG160