Name: NVBLS1D1N08H
Brand: onsemi
SKU: 488-NVBLS1D1N08HTR-ND
Price: 7.86968 CHF
Availability: OutOfStock

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onsemi

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NVBLS1D1N08H
Codice DigiKey	488-NVBLS1D1N08HTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NVBLS1D1N08HCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NVBLS1D1N08HDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVBLS1D1N08H
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF
Tempi di consegna standard del produttore	30 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 41A (Ta), 351A (Tc) 4,2W (Ta), 311W (Tc) A montaggio superficiale 8-HPSOF
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 166 nC @ 10 V
Produttore onsemi	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 11200 pF @ 40 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 4,2W (Ta), 311W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 41A (Ta), 351A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore del fornitore 8-HPSOF
RDSon (max) a Id, Vgs 1,05mohm a 50A, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerSFN
Vgs(th) max a Id 4V a 650µA	Codice componente base NVBLS1

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
NTBLS1D1N08H	onsemi	2’673	488-NTBLS1D1N08HCT-ND	Fr. 6.36000	Equivalente parametrico

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Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2’000	Fr. 2.99759	Fr. 5’995.18

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 7.28000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 7.86968

NVBLS1D1N08H