
NVD5117PLT4G-VF01 | |
---|---|
Codice DigiKey | NVD5117PLT4G-VF01TR-ND - Nastrato in bobina (TR) NVD5117PLT4G-VF01CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NVD5117PLT4G-VF01DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | NVD5117PLT4G-VF01 |
Descrizione | MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 60 V 11 A (Ta), 61 A (Tc) 4,1W (Ta), 118W (Tc) A montaggio superficiale DPAK |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Non per nuovi progetti | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 60 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 16mohm a 29A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 85 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 4800 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 4,1W (Ta), 118W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | DPAK | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
---|---|---|
1 | Fr. 2.93000 | Fr. 2.93 |
10 | Fr. 1.91800 | Fr. 19.18 |
100 | Fr. 1.34090 | Fr. 134.09 |
500 | Fr. 1.17772 | Fr. 588.86 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
---|---|---|
2’500 | Fr. 0.96220 | Fr. 2’405.50 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.93000 |
---|---|
Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 3.16733 |