NVD5806NT4G onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

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NVD5806NT4G
Codice DigiKey	NVD5806NT4GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVD5806NT4G
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 33A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 33 A (Tc) 40W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NVD5806NT4G Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	33 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	19mohm a 15A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	38 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	860 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	40W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	DPAK
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	NVD580