NVGS3443T1G onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

NVGS3443T1G è obsoleto e non è più in produzione.

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Diodes Incorporated

In magazzino: 5’778

Prezzo unitario : Fr. 0.51000

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NVGS3443T1G
Codice DigiKey	NVGS3443T1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVGS3443T1G
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 3.1A 6TSOP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 3,1 A (Ta) A montaggio superficiale 6-TSOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NVGS3443T1G Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3,1 A (Ta)
RDSon (max) a Id, Vgs	65mohm a 4,4A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	15 nC @ 4.5 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	565 pF @ 5 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	-
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	6-TSOP
Contenitore/involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Codice componente base	NVGS3443