Name: NVH4L020N120SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NVH4L020N120SC1-ND
Price: 42.96975 CHF
Availability: InStock

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NVH4L020N120SC1
Codice DigiKey	5556-NVH4L020N120SC1-ND
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVH4L020N120SC1
Descrizione	SICFET N-CH 1200V 102A TO247
Tempi di consegna standard del produttore	13 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 102 A (Tc) 510W (Tc) Foro passante TO-247-4L
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NVH4L020N120SC1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	102 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	20V
RDSon (max) a Id, Vgs	28mohm a 60A, 20V
Vgs(th) max a Id	4,3V a 20mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	220 nC @ 20 V
Vgs (max)	+25V, -15V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2943 pF @ 800 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	510W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-247-4L
Contenitore/involucro	TO-247-4
Codice componente base	NVH4L020

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