Name: NVJD4158CT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVJD4158CT1GTR-ND
Price: 0.49726 CHF
Availability: InStock

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NVJD4158CT1G
Codice DigiKey	488-NVJD4158CT1GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NVJD4158CT1GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NVJD4158CT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVJD4158CT1G
Descrizione	MOSFET N/P-CH 30V 0.25A SC88
Tempi di consegna standard del produttore	43 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 270mW (Ta) A montaggio superficiale SC-88/SC70-6/SOT-363
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Carica del gate (Qg) max a Vgs 1.5nC @ 5V, 3.5nC @ 5V
Produttore onsemi	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 20pF a 5V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Potenza - Max 270mW (Ta)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Configurazione Canale N e P	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 250mA (Ta), 880mA (Ta)	Contenitore/involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
RDSon (max) a Id, Vgs 1,5ohm a 10mA, 4,5V	Contenitore del fornitore SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs(th) max a Id 1,5V a 100µA

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3’000	Fr. 0.09667	Fr. 290.01
6’000	Fr. 0.08802	Fr. 528.12

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.46000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.49726

NVJD4158CT1G