NVMFD5877NLT3G onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

NVMFD5877NLT3G è obsoleto e non è più in produzione.

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STMicroelectronics

In magazzino: 10’468

Prezzo unitario : Fr. 1.39000

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NVMFD5877NLT3G
Codice DigiKey	NVMFD5877NLT3G-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVMFD5877NLT3G
Descrizione	MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 60V 6A 3,2W A montaggio superficiale 8-DFN (5x6) doppio flag (SO8FL-doppio)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NVMFD5877NLT3G Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali N (doppio)
Funzione FET	Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)	60V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	6A
RDSon (max) a Id, Vgs	39mohm a 7,5A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	20nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	540pF a 25V
Potenza - Max	3,2W
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN
Contenitore del fornitore	8-DFN (5x6) doppio flag (SO8FL-doppio)
Codice componente base	NVMFD5877