Name: NVMFD6H846NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFD6H846NLT1GTR-ND
Price: 2.49711 CHF
Availability: InStock

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NVMFD6H846NLT1G
Codice DigiKey	488-NVMFD6H846NLT1GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NVMFD6H846NLT1GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NVMFD6H846NLT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVMFD6H846NLT1G
Descrizione	MOSFET 2N-CH 80V 9.4A 8DFN
Tempi di consegna standard del produttore	29 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 80V 9,4A (Ta), 31A (Tc) 3,2W (Ta), 34W (Tc) A montaggio superficiale 8-DFN (5x6) doppio flag (SO8FL-doppio)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Carica del gate (Qg) max a Vgs 17nC a 10V
Produttore onsemi	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 900pF a 40V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Potenza - Max 3,2W (Ta), 34W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Configurazione 2 canali N (doppio)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 80V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 9,4A (Ta), 31A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 15mohm a 5A, 10V	Contenitore del fornitore 8-DFN (5x6) doppio flag (SO8FL-doppio)
Vgs(th) max a Id 2V a 21µA	Codice componente base NVMFD6

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In magazzino: 2’559

Scorte di fabbrica: 61’500

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1’500	Fr. 0.68456	Fr. 1’026.84
3’000	Fr. 0.64170	Fr. 1’925.10

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.31000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.49711

NVMFD6H846NLT1G