Name: NVMFS3D6N10MCLT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFS3D6N10MCLT1GTR-ND
Price: 3.92403 CHF
Availability: OutOfStock

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Renesas Electronics Corporation

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NVMFS3D6N10MCLT1G
Codice DigiKey	488-NVMFS3D6N10MCLT1GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NVMFS3D6N10MCLT1GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NVMFS3D6N10MCLT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVMFS3D6N10MCLT1G
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 19A/132A 5DFN
Tempi di consegna standard del produttore	45 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 19 A (Ta), 132 A (Tc) 3W (Ta), 139W (Tc) A montaggio superficiale 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 60 nC @ 10 V
Produttore onsemi	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4411 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 139W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 19 A (Ta), 132 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
RDSon (max) a Id, Vgs 3,6mohm a 48A, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN, 5 conduttori
Vgs(th) max a Id 3V a 270µA	Codice componente base NVMFS3

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
RBA130N10EANS-4UA04#HB0	Renesas Electronics Corporation	0	559-RBA130N10EANS-4UA04#HB0TR-ND	Fr. 0.58912	Simile

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Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1’500	Fr. 1.18272	Fr. 1’774.08

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 3.63000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 3.92403

NVMFS3D6N10MCLT1G