5 DFN
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NVMFS6H824NLWFT1G

Codice DigiKey
488-NVMFS6H824NLWFT1GTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
488-NVMFS6H824NLWFT1GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
488-NVMFS6H824NLWFT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
onsemi
Codice produttore
NVMFS6H824NLWFT1G
Descrizione
MOSFET N-CH 80V 20A/110A 5DFN
Tempi di consegna standard del produttore
19 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 80 V 20A (Ta), 110A (Tc) 3,8W (Ta), 116W (Tc) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
80 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
20A (Ta), 110A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
4mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id
2V a 140µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2900 pF @ 40 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3,8W (Ta), 116W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
Contenitore del fornitore
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Contenitore/involucro
8-PowerTDFN, 5 conduttori
Codice componente base
NVMFS6
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In magazzino: 1’404
Scorte di fabbrica: 1’500
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 2.68000Fr. 2.68
10Fr. 1.87800Fr. 18.78
100Fr. 1.31160Fr. 131.16
500Fr. 1.14616Fr. 573.08
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1’500Fr. 0.95239Fr. 1’428.59
3’000Fr. 0.93640Fr. 2’809.20
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 2.68000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 2.89708