NVMFS6B14NLWFT1G onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

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NVMFS6B14NLWFT1G
Codice DigiKey	NVMFS6B14NLWFT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVMFS6B14NLWFT1G
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 11A/55A 5DFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 11 A (Ta), 55 A (Tc) 3,8W (Ta), 94W (Tc) A montaggio superficiale 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Modelli EDA/CAD	NVMFS6B14NLWFT1G Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	11 A (Ta), 55 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	13mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	8 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1680 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,8W (Ta), 94W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN, 5 conduttori
Codice componente base	NVMFS6