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Infineon Technologies
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Scheda tecnica
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Canale N 40 V 33 A (Ta), 160 A (Tc) 4,7W (Ta), 120W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
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NTD5C434NT4G

Codice DigiKey
NTD5C434NT4GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
onsemi
Codice produttore
NTD5C434NT4G
Descrizione
MOSFET N-CH 40V 33A/160A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 40 V 33 A (Ta), 160 A (Tc) 4,7W (Ta), 120W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
NTD5C434NT4G Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
33 A (Ta), 160 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
2,1mohm a 50A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
80.6 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
5400 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
4,7W (Ta), 120W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
DPAK
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base
NTD5C434
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