Name: NVMFS6H852NLWFT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFS6H852NLWFT1GTR-ND
Price: 1.31882 CHF
Availability: InStock

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NVMFS6H852NLWFT1G
Codice DigiKey	488-NVMFS6H852NLWFT1GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NVMFS6H852NLWFT1GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NVMFS6H852NLWFT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVMFS6H852NLWFT1G
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 11A/42A 5DFN
Tempi di consegna standard del produttore	36 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 11 A (Ta), 42 A (Tc) 3,6W (Ta), 54W (Tc) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili 5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 17 nC @ 10 V
Produttore onsemi	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 906 pF @ 40 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,6W (Ta), 54W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 11 A (Ta), 42 A (Tc)	Tipo di montaggio Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore 5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
RDSon (max) a Id, Vgs 13,1mohm a 10A, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN, 5 conduttori
Vgs(th) max a Id 2V a 45µA	Codice componente base NVMFS6

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In magazzino: 574

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1’500	Fr. 0.32630	Fr. 489.45
3’000	Fr. 0.30081	Fr. 902.43

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.22000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.31882

NVMFS6H852NLWFT1G