Name: NVMFS6H852NLWFT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFS6H852NLWFT1GTR-ND
Price: 1.27558 CHF
Availability: InStock

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NVMFS6H852NLWFT1G
Codice DigiKey	488-NVMFS6H852NLWFT1GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NVMFS6H852NLWFT1GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NVMFS6H852NLWFT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVMFS6H852NLWFT1G
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 11A/42A 5DFN
Tempi di consegna standard del produttore	19 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 11 A (Ta), 42 A (Tc) 3,6W (Ta), 54W (Tc) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili 5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	80 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	11 A (Ta), 42 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	13,1mohm a 10A, 10V
Vgs(th) max a Id	2V a 45µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	906 pF @ 40 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,6W (Ta), 54W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
Contenitore del fornitore	5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN, 5 conduttori
Codice componente base	NVMFS6

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Nastrato in bobina (TR)