Name: NVMFWS2D5N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFWS2D5N08XT1GTR-ND
Price: 2.95113 CHF
Availability: InStock

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NVMFWS2D5N08XT1G
Codice DigiKey	488-NVMFWS2D5N08XT1GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NVMFWS2D5N08XT1GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NVMFWS2D5N08XT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVMFWS2D5N08XT1G
Descrizione	T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PRE
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 156 A (Tc) 133W (Tc) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili 5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 45 nC @ 10 V
Produttore onsemi	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3200 pF @ 40 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 133W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 156 A (Tc)	Tipo di montaggio Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore del fornitore 5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
RDSon (max) a Id, Vgs 2,55mohm a 37A, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN, 5 conduttori
Vgs(th) max a Id 3.6V @ 184µA	Codice componente base NVMFWS

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In magazzino: 13’835

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1’500	Fr. 0.83414	Fr. 1’251.21
3’000	Fr. 0.80695	Fr. 2’420.85

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.73000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.95113

NVMFWS2D5N08XT1G