Name: NVMFWS3D0P04M8LT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFWS3D0P04M8LT1GTR-ND
Price: 3.26462 CHF
Availability: InStock

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NVMFWS3D0P04M8LT1G
Codice DigiKey	488-NVMFWS3D0P04M8LT1GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NVMFWS3D0P04M8LT1GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NVMFWS3D0P04M8LT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVMFWS3D0P04M8LT1G
Descrizione	MV8 P INITIAL PROGRAM
Tempi di consegna standard del produttore	44 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 40 V 28A (Ta), 183A (Tc) 3,9W (Ta), 171W (Tc) A montaggio superficiale 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 124 nC @ 10 V
Produttore onsemi	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5827 pF @ 20 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,9W (Ta), 171W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 28A (Ta), 183A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
RDSon (max) a Id, Vgs 2,7mohm a 30A,10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN, 5 conduttori
Vgs(th) max a Id 2,4V a 2mA	Codice componente base NVMFWS

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In magazzino: 2’155

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1’500	Fr. 0.93883	Fr. 1’408.25
3’000	Fr. 0.92477	Fr. 2’774.31

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 3.02000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 3.26462

NVMFWS3D0P04M8LT1G