Name: NVMFWS4D5N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFWS4D5N08XT1GTR-ND
Price: 2.14038 CHF
Availability: InStock

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NVMFWS4D5N08XT1G
Codice DigiKey	488-NVMFWS4D5N08XT1GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NVMFWS4D5N08XT1GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NVMFWS4D5N08XT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVMFWS4D5N08XT1G
Descrizione	T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PRE
Tempi di consegna standard del produttore	29 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 92 A (Tc) 82W (Tc) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili 5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 24 nC @ 10 V
Produttore onsemi	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1700 pF @ 40 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 82W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 92 A (Tc)	Tipo di montaggio Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore del fornitore 5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
RDSon (max) a Id, Vgs 4,5mohm a 19A, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN, 5 conduttori
Vgs(th) max a Id 3,6V a 96µA	Codice componente base NVMFWS