Name: NVMJST0D9N04CTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMJST0D9N04CTXGTR-ND
Price: 2.87546 CHF
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

NVMJST0D9N04CTXG
Codice DigiKey	488-NVMJST0D9N04CTXGTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NVMJST0D9N04CTXGCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NVMJST0D9N04CTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVMJST0D9N04CTXG
Descrizione	TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 531A (Tc) 555W (Tc) A montaggio superficiale 10-TCPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NVMJST0D9N04CTXG Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 86 nC @ 10 V
Produttore onsemi	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6100 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 555W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 531A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore del fornitore 10-TCPAK
RDSon (max) a Id, Vgs 1,07mohm a 50A, 10V	Contenitore/involucro 10-PowerLSOP (larghezza 0,209", 5,30mm)
Vgs(th) max a Id 3,5V a 190µA	Codice componente base NVMJST0D9