Name: NVMTS1D2N08H
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMTS1D2N08HTR-ND
Price: 6.33466 CHF
Availability: InStock

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NVMTS1D2N08H
Codice DigiKey	488-NVMTS1D2N08HTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NVMTS1D2N08HCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NVMTS1D2N08HDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVMTS1D2N08H
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 43.5A/337A 8DFNW
Tempi di consegna standard del produttore	33 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 43,5A (Ta), 337A (Tc) 5W (Ta), 300W (Tc) A montaggio superficiale 8-DFNW (8,3x8,4)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NVMTS1D2N08H Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 147 nC @ 10 V
Produttore onsemi	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 10100 pF @ 40 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 5W (Ta), 300W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 43,5A (Ta), 337A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore del fornitore 8-DFNW (8,3x8,4)
RDSon (max) a Id, Vgs 1,1mohm a 90A, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Vgs(th) max a Id 4V a 590µA	Codice componente base NVMTS1

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In magazzino: 3’841

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Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3’000	Fr. 2.24995	Fr. 6’749.85

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 5.86000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 6.33466

NVMTS1D2N08H