Name: NVMYS1D3N04CTWG
Brand: onsemi
SKU: NVMYS1D3N04CTWGOSTR-ND
Price: 2.67007 CHF
Availability: InStock

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NVMYS1D3N04CTWG
Codice DigiKey	NVMYS1D3N04CTWGOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NVMYS1D3N04CTWGOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NVMYS1D3N04CTWGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVMYS1D3N04CTWG
Descrizione	TRENCH 6 40V SL NFET
Tempi di consegna standard del produttore	50 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 43A (Ta), 252A (Tc) 3,9W (Ta), 134W (Tc) A montaggio superficiale LFPAK4 (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 75 nC @ 10 V
Produttore onsemi	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4855 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,9W (Ta), 134W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 43A (Ta), 252A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore del fornitore LFPAK4 (5x6)
RDSon (max) a Id, Vgs 1,15mohm a 50A, 10V	Contenitore/involucro SOT-1023, 4-LFPAK
Vgs(th) max a Id 3,5V a 180µA	Codice componente base NVMYS1

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3’000	Fr. 0.70110	Fr. 2’103.30

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.47000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.67007

NVMYS1D3N04CTWG