


NVMYS9D3N06CLTWG | |
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Codice DigiKey | 488-NVMYS9D3N06CLTWGTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NVMYS9D3N06CLTWGCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NVMYS9D3N06CLTWGDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | NVMYS9D3N06CLTWG |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 50A DPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 50 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 60 V 14 A (Ta), 50 A (Tc) 3,6W (Ta), 46W (Tc) A montaggio superficiale LFPAK4 (5x6) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 9.5 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) 20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 880 pF @ 25 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 3,6W (Ta), 46W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Grado Automobilistico |
Tensione drain/source (Vdss) 60 V | Qualifica AEC-Q101 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore del fornitore LFPAK4 (5x6) |
RDSon (max) a Id, Vgs 9,2mohm a 25A, 10V | Contenitore/involucro |
Vgs(th) max a Id 2V a 35µA | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| NP33N06YDG-E1-AY | Renesas Electronics Corporation | 2’280 | NP33N06YDG-E1-AYCT-ND | Fr. 1.94000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.32000 | Fr. 1.32 |
| 10 | Fr. 0.83400 | Fr. 8.34 |
| 100 | Fr. 0.55590 | Fr. 55.59 |
| 500 | Fr. 0.43688 | Fr. 218.44 |
| 1’000 | Fr. 0.39858 | Fr. 398.58 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.32706 | Fr. 981.18 |
| 6’000 | Fr. 0.30418 | Fr. 1’825.08 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.32000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.42692 |

