Canale N 100 V 11,7A (Ta), 57,8A (Tc) 3,2W (Ta), 77,8W (Tc) A montaggio superficiale 8-WDFN (3,3x3,3)
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NVTFWS010N10MCLTAG

Codice DigiKey
488-NVTFWS010N10MCLTAGTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
488-NVTFWS010N10MCLTAGCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
488-NVTFWS010N10MCLTAGDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
onsemi
Codice produttore
NVTFWS010N10MCLTAG
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 11.7A 8WDFN
Tempi di consegna standard del produttore
17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 11,7A (Ta), 57,8A (Tc) 3,2W (Ta), 77,8W (Tc) A montaggio superficiale 8-WDFN (3,3x3,3)
Scheda tecnica
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
11,7A (Ta), 57,8A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
10,6mohm a 15A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 85µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2150 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3,2W (Ta), 77,8W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-WDFN (3,3x3,3)
Contenitore/involucro
8-PowerWDFN
Codice componente base
NVTFWS010
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In magazzino: 475
Scorte di fabbrica: 7’500
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.73000Fr. 1.73
10Fr. 1.10600Fr. 11.06
100Fr. 0.75080Fr. 75.08
500Fr. 0.59878Fr. 299.39
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1’500Fr. 0.52499Fr. 787.48
3’000Fr. 0.48786Fr. 1’463.58
4’500Fr. 0.46973Fr. 2’113.78
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.73000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.87013
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