Name: NVTYS010N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVTYS010N06CLTWGTR-ND
Price: 1.37287 CHF
Availability: OutOfStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

NVTYS010N06CLTWG
Codice DigiKey	488-NVTYS010N06CLTWGTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NVTYS010N06CLTWGCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NVTYS010N06CLTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVTYS010N06CLTWG
Descrizione	T6 60V N-CH LL IN LFPAK33
Tempi di consegna standard del produttore	50 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 13 A (Ta), 51 A (Tc) 3,1W (Ta), 47W (Tc) A montaggio superficiale 8-LFPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 13 nC @ 10 V
Produttore onsemi	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 910 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,1W (Ta), 47W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 13 A (Ta), 51 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore 8-LFPAK
RDSon (max) a Id, Vgs 9,8mohm a 25A, 10V	Contenitore/involucro SOT-1205, 8-LFPAK56
Vgs(th) max a Id 2V a 35µA